随机存取存储器

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随机存取存储器(Random Access Memory,简称RAM)可随机地对存储单元进行读出和写入操作的半导体存储器芯片,存储在存储单元中的数据在断电后可能丢失。 根据数据存储方式,RAM可分为动态随机存取存储器和静态随机存取存储器两种。

动态随机存取存储器(Dynamic RAM,DRAM)

动态随机存取存储器(Dynamic RAM,DRAM)是最常用的一种RAM,常说的内存就是指DRAM。DRAM由动态的MOS管构成,具有集成度高、存储容量大、价格相对便宜等优点。因此,DRAM用于大容量、快速存取数据的场合,如计算机系统的主存储器,视频图像显示控制卡的显示存储器等等。

DRAM中的每个存储单元由一个不完全的MOS管构成,只有栅极,无源漏区,靠栅极和衬底之间形成的电容来保存信息。由于MOS管栅极上的电荷会因漏电而释放,所以存储单元中的信息只能保存若干毫秒,这样就需要在1-3ms内周期性地刷新栅极电容上的存储电荷,故此称其为动态随机存取存储器。由于刷新期间不能存取数据,所以会影响DRAM的读取速度,而DRAM本身也不能定时刷新,必须靠附加的刷新电路,因此采用了哪一款芯片组,也就决定其能支持的内存类型。

静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)

静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)是由静态的MOS管组成,其每个存储单元都是由6个MOS管构成的触发器,只要不断电,触发器可永久地保存信息。SRAM不需要定时刷新,故称静态随机存储器。

SRAM与DRAM相比,具有体积大、集成度较低的缺点,原因是其每个存储单元均由6个MOS管构成。单位容量的存储成本比DRAM高得多,但因其无须定时刷新,所以运行速度较快。在现代PC中,采用SRAM作为高速缓存。Cache的容量较内存小,一般只有内存的几百分之一甚至千分之一,但速率较内存快一个量级以上。